Samsung lansira 12 Nm razine 32 GB DDR5 DRAM, podržavajući do 128 GB memorijskih modula
Prema WCCFTECH -u, Samsung je najavio pokretanje prvog svjetskog DDR5 DRAM rješenja zasnovanog na 12NM procesnoj tehnologiji, koje može podržati do 128 GB memorijskih modula.
Do sada su proizvođači memorije poput SK Hynixa i Microna osigurali 24 GB DDR5 DRAM, koji može postići 96 GB memorijsku otopinu, ali Samsung je povećao kapacitet za 33,3% s otopinom razine 12 nm.U isto vrijeme, Micron je također potvrdio pokretanje 32 GB DDR5 DRAM, ali do sada je objavljen samo mapa puta.
Samsung je u svibnju ove godine najavio početak masovne proizvodnje DDR5 razine 12 NM razine 16 GB.Nova 12NM razina 32 GB DDR5 DRAM planira se započeti masovnu proizvodnju krajem ove godine.
Samsung je izjavio da s DRAM-om od 32 GB od 12 nm, rješenje koje može postići do 1 TB dram modula može zadovoljiti rastuću potražnju za dramom velikog kapaciteta u doba umjetne inteligencije.
Samsung je 1983. razvio svoj prvi DRAM od 64 kb i uspješno je povećao svoj DRAM kapacitet za 500000 puta u posljednjih četrdeset godina.
Samsungovi najnoviji memorijski proizvodi razvijeni su korištenjem vrhunskih procesa i tehnologija za poboljšanje gustoće integracije i optimizacije dizajna.Imaju najveći kapacitet jednog DRAM čipa u industriji i pružaju dvostruki kapacitet od 16 GB DDR5 DRAM u istoj veličini pakiranja.
Prije toga, DDR5 128GB DRAM moduli proizvedeni pomoću 16GB DRAM -a zahtijevali su upotrebu silicija kroz rupu (TSV) tehnologiju.Sada, koristeći Samsung 32GB DRAM, moduli 128 GB mogu se proizvesti bez upotrebe TSV tehnologije, istovremeno smanjujući potrošnju energije za oko 10% u usporedbi s 128 GB modula pomoću 16 GB DRAM.Ovaj tehnološki proboj čini ovaj proizvod jednim od najboljih rješenja za energetska učinkovitost svjesnih poduzeća poput podatkovnih centara.
Na temelju DDR5 DDR5 razine 12 nm, Samsung planira nastaviti širiti svoju liniju DRAM proizvoda velikog kapaciteta kako bi zadovoljio trenutne i buduće potrebe računarstva i IT industrije.Samsung će ponovno potvrditi svoju vodeću poziciju na tržištu DRAM-a nove generacije pružanjem DRAM-a od 12 nm 32 GB kupcima u podatkovnim centrima, umjetnoj inteligenciji i računalnim aplikacijama sljedeće generacije.
Samsung je u svibnju ove godine najavio početak masovne proizvodnje DDR5 razine 12 NM razine 16 GB.Nova 12NM razina 32 GB DDR5 DRAM planira se započeti masovnu proizvodnju krajem ove godine.
Samsung je izjavio da s DRAM-om od 32 GB od 12 nm, rješenje koje može postići do 1 TB dram modula može zadovoljiti rastuću potražnju za dramom velikog kapaciteta u doba umjetne inteligencije.
Samsung je 1983. razvio svoj prvi DRAM od 64 kb i uspješno je povećao svoj DRAM kapacitet za 500000 puta u posljednjih četrdeset godina.
Samsungovi najnoviji memorijski proizvodi razvijeni su korištenjem vrhunskih procesa i tehnologija za poboljšanje gustoće integracije i optimizacije dizajna.Imaju najveći kapacitet jednog DRAM čipa u industriji i pružaju dvostruki kapacitet od 16 GB DDR5 DRAM u istoj veličini pakiranja.
Prije toga, DDR5 128GB DRAM moduli proizvedeni pomoću 16GB DRAM -a zahtijevali su upotrebu silicija kroz rupu (TSV) tehnologiju.Sada, koristeći Samsung 32GB DRAM, moduli 128 GB mogu se proizvesti bez upotrebe TSV tehnologije, istovremeno smanjujući potrošnju energije za oko 10% u usporedbi s 128 GB modula pomoću 16 GB DRAM.Ovaj tehnološki proboj čini ovaj proizvod jednim od najboljih rješenja za energetska učinkovitost svjesnih poduzeća poput podatkovnih centara.
Na temelju DDR5 DDR5 razine 12 nm, Samsung planira nastaviti širiti svoju liniju DRAM proizvoda velikog kapaciteta kako bi zadovoljio trenutne i buduće potrebe računarstva i IT industrije.Samsung će ponovno potvrditi svoju vodeću poziciju na tržištu DRAM-a nove generacije pružanjem DRAM-a od 12 nm 32 GB kupcima u podatkovnim centrima, umjetnoj inteligenciji i računalnim aplikacijama sljedeće generacije.